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2008年11月07日の記事は以下のとおりです。

中国のトランジスタ

  • 2008/11/07 20:39
  • カテゴリー:make:

 川崎にあるサトー電気で,怪しげな中国製のゲルマニウムトランジスタが168円というそこそこの値段で売られています。

 私も,物珍しさも手伝って,なにかのついでに2本ほど買ったのですが,いかんせん素性が分かりません。使うあてもないので別に構わないのですが,やはり電子部品はその仕様が分かってなんぼ,のものですから,少し調べてみることにしました。

 さて,このトランジスタ,型名を3BX31Cと言います。2Nでも2Sなく,3Bです。サトー電気のホームページには,NPNのゲルマニウムと書かれています。中国では割に標準的なもののようで,かの国では教科書にも出てくるほどメジャーなものらしいです。

 お待ちかね,その仕様ですが,複数のデータを統合すると,こんな感じです。

Ge-NPN(アロイなのかグローンなのか構造は不明)
用途              : 低周波増幅用
コレクタ損失(Pc)       : 125mW
コレクタ電流(Ic)       : 125mA
コレクタ遮断電流(ICBO)    : 最大6uA
コレクタ-ベース間電圧(VCBO) : 40V
コレクタ-エミッタ間電圧(VCEO): 24V
エミッタ-ベース間電圧(VEBO) : 10V
直流電流増幅率(hFE)     : 40~180
ベース接地での遮断周波数(fb) : 最小8MHz

 VCBO,VCEO,VEBOについては,厳密にはブレークダウン電圧が記されていたのですが,おおむねそのトランジスタの耐圧と見て良いですから,ここでは最大定格としました。

 こうしてみると,ごく普通の2SDxxというゲルマニウムトランジスタという感じですね。ぱっとみると,2SB172クラスのトランジスタで,2SB172のコンプリである2SD31なんかとよく似た感じでしょうか。

 ところで,この見慣れない中国製トランジスタの命名ルールを見つけました。

 最初の数字の3はトランジスタであることを示しています。電極数を書いているような感じですね。

 次のBは構造を示しています。AがゲルマニウムでPNP,BがゲルマニウムでNPN,CがシリコンでPNP,DがシリコンでNPN,Eが化合物半導体です。

 次のXは用途です。Xは低周波小信号用(3MHz未満で1W未満),Dが低周波電力増幅用(3MHz未満で1W以上),Gが高周波小信号用(3MHz以上で1W未満),Aが高周波電力用(3MHz以上で1W以上),Kがスイッチング用,です。それとどうやらCSがFETのようです。

 次の数字,31は通し番号です。番号そのものには意味はないようで,このあたりは日本のトランジスタなんかと同じでしょう。

 最後のCは,これは同じ品種で規格が変わった改良品などを示しています。これも日本のトランジスタと同じですね。

 よって,3BX31Cは,ゲルマニウムNPN低周波小信号用トランジスタ,となります。

 他にも用途の記号はいろいろあるようなのですが,さっぱりわかりませんでした。(たぶんサイリスタとかトンネルダイオードとかPINフォトダイオードとか)
 
 最後にお約束です。ここに書かれたことには誤りがある可能性も高く,内容を保証するものではありません。この情報によって発生したいかなる直接的,間接的な損害についても,著者は一切責任を負いません。
 

 

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